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UF2010G_B0_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF2010G_B0_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,

UF2010G_B0_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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UF200G ~ UF2010G
GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volt
CURRENT
2 Ampere
0.034(0.86)
0.028(0.71)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Ultra fast recovery for high efficiency.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic, DO-15
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
0.300(7.6)
0.230(5.8)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PARAM ETER
M aximum Recur r ent Peak Rever se Volt age
M aximum RM S Volt age
M aximum DC Bloc king Volt age
M aximum Aver age For w ar d Cur r ent 0. 375"( 9. 5mm)
lead lengt h at T
A
= 55
O
C
Peak For w ar d Sur ge Cur r ent : 8. 3ms s ingle half sine- w ave
s uper imposed on r at ed load
M aximum For w ar d Volt age at 2A
M aximum DC Rever s e Cur r ent at Rat ed DC Bloc king
Volt age
Ty pic al J unct ion Capacit ance ( Not e 1)
Ty pic al T her mal Resist ance ( Not e 2)
M aximum Rever se Rec over y Time ( Not e 3)
O per at ing J unct ion and St or age Temper at ur e Range
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
SY M BO L UF200G UF201G UF202G UF204G UF 206G UF208G UF 2010G UNI T S
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV)
I
FS M
V
F
I
R
C
J
R
θJ
A
t
rr
T
J
, T
ST G
50
- 55 t o + 150
1
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2
60
1. 3
1
200
35
45
100
O
1.0(25.4)MIN.
0.140(3.6)
0.104(2.6)
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
1. 7
V
μA
pF
C / W
ns
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Reverse Recovery Time I
F
=0.5A ,I
R
=1A , I
rr
=0.25A
May 20,2015-REV.06
PAGE . 1
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