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SBT1560VS_AY_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 60V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBT1560VS_AY_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 60V V(RRM), Silicon,

SBT1560VS_AY_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.53 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SBT1560VS_AY_10001文档预览

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SBT1560VS
UlTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Ultra low forward voltage drop, low power loss
• High efficiency operation
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.360(9.1)
0.340(8.6)
60 Volt
CURRENT
15 Ampere
1.0(25.4)MIN.
0.052(1.3)
0.048(1.2)
MECHANICAL DATA
Case : P-600 molded plastic
Terminals : Axial leads,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity : Color band denotes cathode end
Weight : 0.0719 ounces, 2.04 grams.
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
R
JA
R
JL
T
J
T
STG
VALUE
60
42
60
15
300
13
4
-55 to + 150
-55 to + 150
O
1.0(25.4)MIN.
0.360(9.1)
0.340(8.6)
UNIT
V
V
V
A
A
C /W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=15A
I
F
=5A
I
F
=10A
V
R
=42V
Reverse current
I
R
V
R
=60V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25 C
T
J
=125
o
C
o
MIN.
60
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.41
0.45
0.48
0.3
0.37
6
-
10
MAX.
-
-
-
0.53
-
-
-
50
-
UNIT
V
V
V
A
A
mA
Instantaneous forward voltage
V
F
Note : 1. The testing condition of the thermal resistance (junction to ambient and junction to lead) is based on 0 mm lead length
between two 10cm x 10cm x 1mm copper pad heatsinks.
February 13,2014-REV.00
PAGE . 1

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