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M13S2561616A_09

产品描述16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
产品类别存储   
文件大小1MB,共49页
制造商台湾晶豪(ESMT)
官网地址http://www.esmt.com.tw/
晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。
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M13S2561616A_09概述

16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66

16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.75 ns, PDSO66

M13S2561616A_09规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量66
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压2.7 V
最小供电/工作电压2.3 V
额定供电电压2.5 V
加工封装描述0.400 X 875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织16M X 16
存储密度2.68E8 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数1.68E7 words
位数16M
存取方式FOUR BANK PAGE BURST
内存IC类型DDR DRAM
端口数1
最小存取时间0.7500 ns
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