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M13S2561616A-4BG

产品描述16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共49页
制造商台湾晶豪(ESMT)
官网地址http://www.esmt.com.tw/
晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。
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M13S2561616A-4BG概述

16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66

16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.75 ns, PDSO66

M13S2561616A-4BG规格参数

参数名称属性值
厂商名称台湾晶豪(ESMT)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度13 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.8 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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