M12S16161A-6BG,M12S16161A-6BG pdf中文资料,M12S16161A-6BG引脚图,M12S16161A-6BG电路-Datasheet-电子工程世界

M12S16161A-6BG: 产品描述512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM; 产品类别存储存储; 文件大小622KB，共28页; 制造商台湾晶豪(ESMT); 官网地址http://www.esmt.com.tw/; 晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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M12S16161A-6BG概述

512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

参数名称	属性值
厂商名称	台湾晶豪(ESMT)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	60
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10.1 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.65 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	6.4 mm

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