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DBL101SF1

产品描述Bridge Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小704KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
下载文档 详细参数 全文预览

DBL101SF1概述

Bridge Rectifier Diode,

DBL101SF1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

DBL101SF1文档预览

下载PDF文档
DBL101S THRU DBL107S
Bridge Rectifiers
Features
● UL recognition, file #E313149
● Ideal for automated placement
● High surge current capability
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260 °
C
RoHS
COMPLIANT
Typical Applications
General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for
SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home
appliances, office equipment, and telecommunication
applications.
Mechanical Data
Package:
DBLS
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, Halogen free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
As marked on body
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output
current @
60Hz sine
V
RRM
IO
IFSM
It
Tstg
Tj
2
SYMBOL
UNIT
DBL101S DBL102S DBL103S DBL104S DBL105S DBL106S DBL107S
DBL101S DBL102S DBL103S DBL104S DBL105S DBL106S DBL107S
V
50
100
200
400
1.0
600
800
1000
wave, R-load, Ta=40℃
On glass-epoxi
substrate
A
A
A
2
s
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃
Current squared time
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode
Storage temperature
Junction temperature
30
3.7
-55 ~+150
-55 ~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward
voltage drop per diode
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per diode
SYMBOL UNIT
VF
IRRM
V
TEST
DBL101S DBL102S DBL103S DBL104S DBL105S DBL106S DBL107S
CONDITIONS
IFM=0.5A
1.00
5
μA V
RM
=V
RRM
1/4
S-S013
Rev. 2.1, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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