Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | TO-254Z |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (ID) | 5 A |
最大漏源导通电阻 | 2.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-MSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 165 ns |
最大开启时间(吨) | 85 ns |
Base Number Matches | 1 |
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