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IC41LV82002-60T

产品描述EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28
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文件大小195KB,共18页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IC41LV82002-60T概述

EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28

IC41LV82002-60T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明0.400 INCH, TSOP2-28
Reach Compliance Codecompliant
访问模式EDO PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码TSOP28,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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