电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GQZJ6.2A

产品描述Zener Diode, 5.94V V(Z), 2.61%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

GQZJ6.2A概述

Zener Diode, 5.94V V(Z), 2.61%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2

GQZJ6.2A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码MELF
包装说明O-GELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗60 Ω
JESD-30 代码O-GELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压5.94 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.61%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

GQZJ6.2A文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
GQZJ2.0~GQZJ56
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.0 to 56 Volts
POWER
500 mWatts
QUADRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
67
.0
(1
.7
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass QUARDRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.008 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
S
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at IF = 100mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
Uni ts
K/mW
V
RthA
VF
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-JUL.19.2003
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
PAGE . 1
Android BLE低功耗蓝牙从设备应用
现如今安卓的低功耗蓝牙应用十分普遍了,智能手环、手表遍地都是,基本都是利用BLE通信来交互数据。BLE基本在安卓、IOS两大终端设备上都有很好支持,所以有很好发展前景。 现市面上各种 ......
Jacktang 无线连接
Intel FPGA权威设计指南
求求各位大佬,分享一份Intel FPGA权威设计指南的电子档嘛​​​​​​​​​​​​​​​​​​ ......
Adolph_Wang 综合技术交流
浪涌电压抑制器及其应用
浪涌电压 电路在遭雷击和在接通、断开电感负载或大型负载时常常会产生很高的操作过电压,这种瞬时过电压(或过电流)称为浪涌电压(或浪涌电流),是一种瞬变干扰:例如直流6V继电器线圈断开时 ......
zbz0529 模拟电子
VxWorks中关于GB2312转换成UTF-8的问题
请教各位,我现已将汉字取十六进制值,得到GB2312码,现将该码转换成utf-8码,该如何实现,请帮忙写个代码赐教!...
gtt 实时操作系统RTOS
关于DSP外部端口EMIF地址映射问题
 在使用DSP(我有的是5502)有外部端口EMIF与外部扩展存储器连接时,需要考虑他们的地址移位问题嘛?我看了数据手册,反而更有点被绕晕了,手册如下图所示说明,但是实际中是不是还是要先移 ......
奔跑的蜗牛 DSP 与 ARM 处理器
我的s3c2440定时器0无法进入中断,
我的定时器0设置如下,但是运行时如法进入中断,难道设置有错误?? void timer0_init(void){ rSRCPND = rSRCPND | (0x1<<10); //清空定时器0源请求 rINTPND = rINTPND | (0x1< ......
江汉大学南瓜 ARM技术
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved