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SMCJ11A

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小49KB,共4页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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SMCJ11A概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN

SMCJ11A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压13.5 V
最小击穿电压12.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压11 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
SMCJ SERIES
STAND-OFF VOLTAGE -
5.0
to
170
Volts
POWER DISSIPATION -
1500
WATTS
SURFACE MOUNT
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
FEATURES
Rating to 200V VBR
For surface mounted applications
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique
Plastic material has UL flammability classification
94V-O
Typical IR less than 1uA above 10V
Fast response time: typically less than 1.0ps for
Uni-direction,less than 5.0ns for Bi-direction,form 0
Volts to BV min
SMC
SMC
A
DIM.
A
B
C
B
C
D
E
F
G
G
F
E
D
H
MIN.
6.60
5.59
2.92
0.15
7.75
0.05
2.01
0.76
MAX.
7.11
6.22
3.18
0.31
8.13
0.20
2.62
1.52
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : by cathode band denotes uni-directional
device none cathode band denotes bi-directional device
Weight : 0.007 ounces, 0.21 gram
H
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
PEAK POWER DISSIPATION AT T
A
= 25 C,
T
P
= 1ms (Note 1,2)
Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave super imposed
on rated load (Note 3)
(JEDEC METHOD)
Steady State Power Dissipation at T
L
=75 C
SYMBOLS
VALUE
UNIT
P
PK
Minimum 1500
WATTS
I
FSM
200
AMPS.
P
M(AV)
5.0
WATTS
Maximum Instantaneous forward voltage
at 100A for unidirectional devices only (Note 3)
V
F
SEE NOTE 4
Volts
Operating Temperature Range
T
J
-55 to +150
C
Storage Temperature Range
T
STG
-55 to +175
C
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T
A
= 25 C per fig.1.
REV. 2, 01-Dec-2000, KSIC02
2. Thermal Resistance junction to Lead
3. 8.3ms single half-sine wave duty cycle= 4 pulses maximum per minute (unidirectional units only).
4. V
F
= 3.5V on SMCJ5.0 thru SMCJ90A devices and V
F
= 5.0V on SMCJ100 thru SMCJ170A devices.
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