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UF808F

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 800V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小124KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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UF808F概述

Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 800V V(RRM)

UF808F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
Base Number Matches1

UF808F文档预览

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UF800F thru UF808F
Isolation Glass Passivated High Efficient Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 800 Volts Forward Current 8.0 Amperes
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding
Compound.
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
Low power loss, high efficiency
Low forwrd voltge, high current capability
High surge capacity.
Ultra fast recovery times, hgh voltage
Pb free product are availabel: 99% Sn above can meet RoHS
environment substance directive request
ITO-220AC
Mechanical Data
Case: ITO-220AC full molded plastic package
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: As marked.
Standard packaging: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams.
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz,
resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
C
=100
o
C
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 8.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time at
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A (Note 1)
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating junction and storage temperature range
@T
A
=25
o
C
@T
A
=125
o
C
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JC
T
J
, T
STG
50
80.0
5.0
-55 to +150
1.0
10.0
500
100
50.0
o
U F 800F
50
35
50
U F 801F
100
70
100
U F 802F
200
140
200
U F 803F
300
210
300
8.0
125.0
1.3
U F 804F
400
280
400
U F 806F
600
420
600
U F 808F
800
560
800
Unit
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
1.7
Volts
uA
nS
pF
C/W
o
C
Notes:
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A.
2. Thermal resistance from Junction to ambient and from junction to lead 0.375" (9.5mm) P.C.B mounted.
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