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SB4040LDCT/R13

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB4040LDCT/R13概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

SB4040LDCT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码D2PAK
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SB4040LDC
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.357(9.1)
0.335(8.5)
40 Volts
CURRENT
40 Amperes
0.409(10.4)
0.387(9.80)
0.189(4.8)
0.137(4.4)
0.055(1.4)
0.047(1.2)
0.418(10.6)
0.378(9.60)
MECHANICAL DATA
• Case : TO-263/D
2
PAK, Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Weight: 0.0514 ounces, 1.46 grams
0.110(2.8)
0.236(6.0)
0.197(5.0)
0.026(0.7)
0.011(0.3)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.108(2.75)
0.092(2.35)
0.35(0.9)MAX.
0.108(2.75)
0.092(2.35)
MAXIMUM RATINGS ( T
A
=25
o
C unless otherwise noted )
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance ( Note )
Operating junction and storage temperature range
per device
per diode
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
R
ΘJC
T
J
, T
STG
VALUE
40
40
20
250
3.3
-55 to + 150
O
UNIT
V
A
A
C /W
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( T
A
=25
o
C unless otherwise noted )
PARAMETER
Breakdown voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=1mA
I
F
= 5A
I
F
=10A
I
F
=20A
Instantaneous forward voltage per diode
V
F
I
F
= 5A
I
F
=10A
I
F
=20A
V
R
=32V
Reverse current per diode
I
R
V
R
=40V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
-
-
270
140
400
560
T
J
=125
o
C
-
-
-
-
0.25
0.31
0.39
126
-
-
0.42
-
V
MIN.
40
-
-
-
TYP.
-
0.37
0.41
0.47
MAX.
-
-
-
0.50
UNIT
V
T
J
=25
o
C
V
T
J
=25
o
C
μA
μA
mA
Note : Semi-infinite heatsink.
March 09,2011-REV.00
PAGE . 1
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