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MT58V512V36FF-6.8

产品描述Cache SRAM, 512KX36, 6.8ns, CMOS, PBGA165, MO-216CAB-1, FBGA-165
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文件大小537KB,共34页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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MT58V512V36FF-6.8概述

Cache SRAM, 512KX36, 6.8ns, CMOS, PBGA165, MO-216CAB-1, FBGA-165

MT58V512V36FF-6.8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间6.8 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)220
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
Base Number Matches1
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