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3VD223600NEYL

产品描述NCH MOSFET CHIPS WITH ESD PROTECTED STRUCTURE
文件大小27KB,共1页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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3VD223600NEYL概述

NCH MOSFET CHIPS WITH ESD PROTECTED STRUCTURE

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3VD223600NEYL
3VD223600NEYL N-CH MOSFET CHIPS WITH ESD PROTECTED STRUCTURE
DESCRIPTION
Ø
3VD223600NEYL is a High voltage N-Channel
enhancement mode power MOS-FET chip fabricated
in advanced silicon epitaxial planar technology.
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
ESD improved capability
Advanced termination scheme to provide enhanced
voltage-blocking capability.
Avalanche Energy Specified
Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to
a Discrete Fast Recovery Diode
The chips may packaged in TO-92 type.
The packaged product is widely used in AC-DC
power suppliers, DC-DC converters and H-bridge
PWM motor drivers.
Ø
Ø
Die size: 2.23mm*1.39mm.
Chip Thickness: 300±20µm.
Top metal : Al, Backside Metal : Ag.
EQUIVALENT CIRCUIT
CHIP TOPOGRAPHY
Ø
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
amb
=25°C)
Parameter
Drain-Source voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Operation Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDS
VGS
ID
TJ
Tstg
Ratings
600
±30
300
150
-55-150
Unit
V
V
mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
amb
=25°C)
Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate-Threshold Voltage
Gate-body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source On-Resistance
Source-Drain Diode Forward on
Voltage
Symbol
V(BR)DSS
Vth(GS)
lGSS
IDSS
RDS(on)
VFSD
Test conditions
ID=1mA
ID=50uA VDS=VGS
VGS=±20V, VDS=0V
VDS=600V, VGS=0V
ID=0.4A, VGS=10V
ID=0.8A,VGS=0V
Min
600
3
---
---
---
---
Typ
---
---
---
---
---
---
Max
----
4.5
±10
1
15
1.6
V
Unit
V
V
nA
µA
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http: www.silan.com.cn
REV:1.0
2007.11.20
Page 1 of 1
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