电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

K7A803609B-QI22

产品描述Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小612KB,共24页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

K7A803609B-QI22概述

Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

K7A803609B-QI22规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2.8 ns
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1

K7A803609B-QI22相似产品对比

K7A803609B-QI22 K7A801809B-HC22 K7A801809B-QC22 K7A801809B-QI22 K7A803609B-HC22 K7A803609B-QC22 K7A803609B-HI22 K7A801809B-HI22 K7A803209B-QC22 K7A803209B-QI22
描述 Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 Cache SRAM, 512KX18, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 Cache SRAM, 512KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 Cache SRAM, 512KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 Cache SRAM, 512KX18, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 Cache SRAM, 256KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 Cache SRAM, 256KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
零件包装代码 QFP BGA QFP QFP BGA QFP BGA BGA QFP QFP
包装说明 LQFP, BGA, LQFP, LQFP, BGA, LQFP, BGA, BGA, LQFP, LQFP,
针数 100 119 100 100 119 100 119 119 100 100
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant unknown compliant unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns 2.8 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
长度 20 mm 22 mm 20 mm 20 mm 22 mm 20 mm 22 mm 22 mm 20 mm 20 mm
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 8388608 bit 8388608 bi
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 36 18 18 18 36 36 36 18 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 119 100 100 119 100 119 119 100 100
字数 262144 words 524288 words 524288 words 524288 words 262144 words 262144 words 262144 words 524288 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 512000 512000 512000 256000 256000 256000 512000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 256KX36 512KX18 512KX18 512KX18 256KX36 256KX36 256KX36 512KX18 256KX32 256KX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP BGA LQFP LQFP BGA LQFP BGA BGA LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING BALL GULL WING GULL WING BALL GULL WING BALL BALL GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD BOTTOM QUAD QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
座面最大高度 1.6 mm - 1.6 mm 1.6 mm - 1.6 mm - - 1.6 mm 1.6 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 - - -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 46  164  474  601  1687 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved