Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 120 V |
配置 | 2 BANKS, DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 2000 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN AND PNP |
功耗环境最大值 | 2.75 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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