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D5012UK

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, DH, 5 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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D5012UK概述

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, DH, 5 PIN

D5012UK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明CERAMIC, DH, 5 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压125 V
最大漏极电流 (ID)9 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
JESD-609代码e4
元件数量2
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

D5012UK相似产品对比

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描述 RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, DH, 5 PIN
是否Rohs认证 符合
包装说明 CERAMIC, DH, 5 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOW NOISE
外壳连接 SOURCE
配置 COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 125 V
最大漏极电流 (ID) 9 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F4
JESD-609代码 e4
元件数量 2
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 GOLD
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
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