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SMC10C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 8.1V V(RWM), Bidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小702KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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SMC10C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 8.1V V(RWM), Bidirectional

SMC10C规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值10 V
最大钳位电压15 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压8.1 V
表面贴装YES
Base Number Matches1

SMC10C文档预览

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SMC SERIES
SURF ACE MOUNT
UNIDIREC TIONAL AND BIDIRECT IONAL
TRANSIE NT V OLTA GE S UPPRESS ORS
REVERSE VOLTAGE - 6.8 to 200 VOLTS
FORWARD CURRENT - 1500 Amperes
FEATURES
Rating to 200V
VBR
For surface mou nted applications
Reiiable low cost construction utilizing
molded plastic te chnique
Plastic material has UL flammability
classification 94V-0
Fast response time: typically less than 1.0ps for
Uni-direction, less than 5.0ns for Bi-direction, form
0 Volts to BV min
SMC
.128(3.25)
.108(2.75)
.280(7.11)
.260(6.60)
.245(6.22)
.220(5.59)
MECHANICAL DA
Case: Molde d Plastic
Polarity: By cathode band denot es uni-directional
dev ice none cathode b and denotes bi-direc tional
dev ice
Weig ht: 0.007 ounc es, 0.21 grams
TA
.103(2.62)
.079(2.00)
.060(1.52)
.030(0.76)
.330(81.3)
.305(7.75)
.012(.305)
.006(.152)
.008(.203)
.002(.051)
Rating at 25
ambient temperaature unless
otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
MAXIMUM RA
TINGS AND
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
Pea k Power Dissipation at T
TP= 1ms(No te 1,2 )
A
=25
SYMBOL
P
PK
VALUE
Minimum 1500
UNIT
WATTS
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Steady State Power Dissipation at TL=75
I
FSM
200
5.0
AMPS
P
M(AV)
WATTS
Maximum Instantaneous forward voltage
at 25A for unidirectional devices only (Note 3)
V
F
See Note 4
VOLTS
Operating Temperature Range
T
J
-55 to +125
-55 to +150
Storage Temperature Range
T
STG
NOT ES:1 . No n-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25 per Flg. 1.
2 . Thermal Resistance Junction to Lead.
3. 8 . 3ms s ingle h alf sine- wave duty c ycle=4 puls es per m inutes ma ximum (uni-direction al units only).
4. VF =3.5V on SMC6.8 thr u SMC90A dev ices and VF=5.0V on SMC100 t hru SMC200A device s.
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