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GR1JBF3

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小817KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
下载文档 详细参数 全文预览

GR1JBF3概述

Rectifier Diode,

GR1JBF3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEEELING DIODE
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GR1JBF3文档预览

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GR1AB THRU GR1MB
Surface Mount Fast Recovery Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Glass passivated chip junction
● High forward surge capability
● Fast reverse recovery time
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in high frequency rectification of power
supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for
consumer and telecommunication.
Mechanical Data
Package:
DO-214AA (SMB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
IO
V
A
SYMBOL
UNIT
GR1AB
GR1AB
50
GR1BB
GR1BB
100
GR1DB
GR1DB
200
GR1GB
GR1GB
400
1.0
GR1JB
GR1JB
600
GR1KB
GR1KB
800
GR1MB
GR1MB
1000
IFSM
Tstg
Tj
A
30
-55~+150
-55~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum reverse recovery time
SYMBOL
UNIT
TEST
GR1AB GR1BB GR1DB GR1GB GR1JB GR1KB GR1MB
CONDITIONS
IFM=1.0A
I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Ta =25℃
IRRM
μA
Ta =125℃
100
VF
V
1.3
t
rr
ns
150
5.0
250
500
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode @ VRM=VRRM
1/5
S-S933
Rev.1.2,20-Oct-16
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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