Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> DB103S

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DB103S: 产品描述Single Phase 1.0A Silicon Bridge Rectifiers 单相1.0安培硅桥式整流器; 产品类别分立半导体; 文件大小100KB，共2页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

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DB103S概述

Single Phase 1.0A Silicon Bridge Rectifiers 单相1.0安培硅桥式整流器

功能特点

产品名称：Single Phase 1.0A Silicon Bridge Rectifiers 单相1.0安培硅桥式整流器

产品型号：DB103S

产品特征：

UL Recognized File # E-230084

Ideal for printed circuit board

Reliable low cost construction technique results in inexpensive product

High temperature soldering guaranteed:

250℃ / 10 seconds / 0.375” ( 9.5mm )

lead length at 5 lbs., ( 2.3 kg ) tension

机械数据：

Case: Molded plastic

Lead: solder plated

Polarity: As marked

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

产品数据：

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 最大反向峰值电压：200V

Maximum RMS Voltage VRMS 电压有效值：140V

Maximum DC blocking Voltage VDC 最大直流阻断电压：200V

Maximum Average Forward Rectified Current @TA = 50℃ I(AV) 最大正向电流：1.0 A

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method ) IFSM 最大正向浪涌电流：50 A

Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 1.5 A VF 最大正向压降：1.1 V

Maximum DC Reverse Current @ TA=25℃ IR 最大反向漏电流：5μA

rated DC blocking voltage per leg TA=125℃ IR 最大反向漏电流：100μA

Operating Temperature Range TJ 工作结温：-55 to +150 ℃

Storage Temperature Range TSTG储存温度范围：-55 to +150 ℃

封装： DBS

DB103S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.05 V
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	4
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	200 V
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
Base Number Matches	1

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DB101S THRU DB107S

桥式整流器

Bridge Rectifier

■特征

Features

●

■外½尺寸和印记

DBS

Outline Dimensions and Mark

.013(0.33)

.0088(0.22)

.060(1.53)

.040(1.02)

.013(0.33)

.003(0.076)

RRM

50V~1000V

●

玻璃钝化芯片

Glass passivated chip

●

耐正向浪涌电流½力高

High surge forward current capability

- +

.255(6.5) .404(10.3)

.245(6.2) .386(9.80)

Mounting Pad Layout

0.202

(5.12)

0.344

(8.73)

.083(2.10)

.071(1.80)

~ ~

.205(5.2)

.195(5.0)

.335(8.51)

.320(8.13)

■用途

Applications

●

½一般电源单相桥式整流用

General purpose 1 phase Bridge

rectifier applications

0.087

(2.22)

45°

.130(3.30)

.120(3.05)

0.047

(1.20)

.047(1.20)

.040(1.02)

Dimensions in inches and (millimeters)

■极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values（Absolute Maximum Rating）

参数名称

Item

反向重复峰值电压

Repetitive Peak Reverse

Voltage

平均整流输出电流

Average Rectified Output

Current

正向（不重复）浪涌电流

Surge(Non-

repetitive)Forward Current

正向浪涌电流的平方对电流

浪涌持续时间的积分值

Current Squared Time

存储温度

Storage Temperature

结温

Junction Temperature

符号单½

Symbol Unit

RRM

条件

Conditions

DB1

01S 02S 03S 04S 05S 06S 07S

50 100 200 400 600 800 1000

60Hz正弦波，

电阻负½½，

安装在玻璃-环氧基板上

Ta=25℃

On glass-epoxi substrate

60Hz sine wave,

R-load ,Ta=25℃

60H

正弦波，一个周期，T

=25℃

60H

sine wave, 1 cycle, T

=25℃

1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管

1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode

FSM

3.7

-55 ~+150

stg

℃

■电特性（T

a=25℃

除非另有规定）

Electrical Characteristics

（T

=25℃ Unless otherwise specified）

参数名称

Item

符号单½

Symbol Unit

RRM

J-A

J-L

测试条件

Test Condition

最大值

Max

1.05

正向峰值电压

Peak Forward Voltage

反向峰值电流

Peak Reverse Current

热阻

Thermal Resistance

=0.5A,

脉冲测试，单个二极管的额定值

=0.5A, Pulse measurement, Rating of per diode

RRM

,脉冲测试，单个二极管的额定值

μA

RRM

, Pulse measurement, Rating of per diode

结和环境之间，安装在玻璃-环氧基板上

Between junction and ambient, On glass-epoxi substrate

℃/W

结和引线之间

Between junction and lead

Document Number 0007

Rev. 1.0, 22-Sep-11

扬州扬杰电子科技股½有限公司

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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