DIODE 0.05 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | E-LALF-W2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | E-LALF-W2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最大输出电流 | 0.05 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ELLIPTICAL |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 2000 V |
| 最大反向恢复时间 | 5 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 934051630113 | BYX132GT/R | BYX132G | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DIODE 0.05 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode | DIODE 0.05 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode | DIODE 0.05 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SOD-61AB2, 2 PIN, Signal Diode |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 |
| 针数 | 2 | 2 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 |
| 最大输出电流 | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 2000 V | 2000 V | 2000 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
| 其他特性 | - | LOW LEAKAGE CURRENT | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 技术 | - | AVALANCHE | AVALANCHE |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
