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GBP2005S

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 50V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小565KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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GBP2005S概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 50V V(RRM), Silicon,

GBP2005S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PSIP-T4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GBP2005S文档预览

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GBP2005S THRU GBP210S
Bridge Rectifiers
Features
UL recognition, file #E230084
● Ideal for printed circuit boards
● High surge current capability
● Solder dip 275 ° max. 7 s, per JESD 22-B106
C
RoHS
COMPLIANT
Typical Applications
General purpose use in AC/DC bridge full wave
rectification for monitor, TV, printer, power supply, switching
mode power supply, adapter, audio equipment, and home
appliances applications.
Mechanical Data
Package:
GBP
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
As marked on body
+
~
~
-
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
With heatsink
Tc =130℃
Without heatsink
Tc =70℃
Surge(non-repetitive)forward current
@60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃
Average rectified output
current @60Hz sine wave,
R-load
Current squared time
@1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
V
SYMBOL
UNIT
GBP2005S GBP201S GBP202S GBP204S GBP206S GBP208S GBP210S
GBP2005S GBP201S GBP202S GBP204S GBP206S GBP208S GBP210S
50
100
200
400
600
800
1000
IO
A
2.0
IFSM
It
Tstg
Tj
2
A
A
2
s
50
10.4
-55 ~+150
-55 ~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward
voltage drop per diode
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per diode
SYMBOL UNIT
VF
IRRM
V
μA
TEST
GBP2005S GBP201S GBP202S GBP204S GBP206S GBP208S GBP210S
CONDITIONS
IFM=1.0A
VRM=VRRM
1.00
5
Thermal Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL UNIT GBP2005S GBP201S GBP202S GBP204S GBP206S GBP208S GBP210S
RθJ-A
℃/W
RθJ-c
5.0
50.0
Thermal
Resistance
Between junction and
ambient
Between junction
and lead
1/4
S-B540
Rev. 1.2, 20-Dec-16
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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