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F25L004A-100DG

产品描述3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小420KB,共30页
制造商台湾晶豪(ESMT)
官网地址http://www.esmt.com.tw/
标准
晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。
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F25L004A-100DG概述

3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory

F25L004A-100DG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾晶豪(ESMT)
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
长度9.27 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000075 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NOR TYPE
宽度7.62 mm
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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