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F49L800BA-70TIG

产品描述8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小475KB,共47页
制造商台湾晶豪(ESMT)
官网地址http://www.esmt.com.tw/
标准
晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。
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F49L800BA-70TIG概述

8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory

F49L800BA-70TIG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾晶豪(ESMT)
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,15
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
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