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FGP20N60UFDTU

产品描述IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小739KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FGP20N60UFDTU概述

IGBT

FGP20N60UFDTU规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
制造商包装代码TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)64 ns
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)165 W
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)155 ns
标称接通时间 (ton)29 ns

FGP20N60UFDTU相似产品对比

FGP20N60UFDTU FGP20N60UFD
描述 IGBT IGBT
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-220 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 40 A 40 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 155 ns 155 ns
标称接通时间 (ton) 29 ns 29 ns
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