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2N3410DCSMG4

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 6 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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2N3410DCSMG4概述

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 6 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6

2N3410DCSMG4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码MO-041BB
JESD-30 代码R-CDSO-N6
JESD-609代码e4
元件数量2
端子数量6
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

2N3410DCSMG4相似产品对比

2N3410DCSMG4 2N3410DCSM
描述 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 6 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 6 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
是否Rohs认证 符合 不符合
包装说明 HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6 HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JEDEC-95代码 MO-041BB MO-041BB
JESD-30 代码 R-CDSO-N6 R-CDSO-N6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1
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