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IS42S83200C-6TL

产品描述16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
产品类别存储   
文件大小1MB,共40页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS42S83200C-6TL概述

16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54

16M × 16 同步动态随机存取存储器, 5.4 ns, PDSO54

IS42S83200C-6TL规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量54
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压3 V
额定供电电压3.3 V
最小存取时间5.4 ns
加工封装描述0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, 铅 FREE, TSOP2-54
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.8000 mm
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度16
组织16M × 16
存储密度2.68E8 deg
操作模式同步
位数1.68E7 words
位数16M
存取方式四 BANK PAGE BURST
内存IC类型同步动态随机存取存储器
端口数1

 
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