IC 8-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24, Analog to Digital Converter
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
包装说明 | DIP, DIP24,.3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最大模拟输入电压 | 6.1 V |
最小模拟输入电压 | -0.1 V |
最长转换时间 | 0.79 µs |
转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
最大线性误差 (EL) | 0.4% |
模拟输入通道数量 | 4 |
位数 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出位码 | BINARY |
输出格式 | PARALLEL, 8 BITS |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
采样速率 | 1.5 MHz |
采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE |
座面最大高度 | 4.572 mm |
最大压摆率 | 20 mA |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
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