NJM2114D放大器基础信息:
NJM2114D是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3
NJM2114D放大器核心信息:
NJM2114D的最低工作温度是-20 °C,最高工作温度是75 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:1.8 µA他的最大平均偏置电流为1.8 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,NJM2114D的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的NJM2114D的最大压摆率为16 mA.其最小电压增益为14125.4。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,NJM2114D增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为13000 kHz。
NJM2114D的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。NJM2114D的输入失调电压为3000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
NJM2114D的相关尺寸:
NJM2114D的宽度为:7.62 mm,长度为8.8 mmNJM2114D拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
NJM2114D放大器其他信息:
NJM2114D采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。NJM2114D的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:COMMERCIAL EXTENDED。NJM2114D不符合Rohs认证。
其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e6。NJM2114D的封装代码是:DIP。NJM2114D封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。NJM2114D封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.7 mm。
NJM2114D放大器基础信息:
NJM2114D是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3
NJM2114D放大器核心信息:
NJM2114D的最低工作温度是-20 °C,最高工作温度是75 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:1.8 µA他的最大平均偏置电流为1.8 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,NJM2114D的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的NJM2114D的最大压摆率为16 mA.其最小电压增益为14125.4。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,NJM2114D增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为13000 kHz。
NJM2114D的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。NJM2114D的输入失调电压为3000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
NJM2114D的相关尺寸:
NJM2114D的宽度为:7.62 mm,长度为8.8 mmNJM2114D拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
NJM2114D放大器其他信息:
NJM2114D采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。NJM2114D的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:COMMERCIAL EXTENDED。NJM2114D不符合Rohs认证。
其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e6。NJM2114D的封装代码是:DIP。NJM2114D封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。NJM2114D封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.7 mm。
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | New Japan Radio Co Ltd |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 1.8 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 1.8 µA |
最小共模抑制比 | 70 dB |
标称共模抑制比 | 100 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 3000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e6 |
长度 | 8.8 mm |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | -22 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 75 °C |
最低工作温度 | -20 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.7 mm |
标称压摆率 | 15 V/us |
最大压摆率 | 16 mA |
供电电压上限 | 22 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 13000 kHz |
最小电压增益 | 14125.4 |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
NJM2114D | NJM2114M | |
---|---|---|
描述 | Operational Amplifier, 2 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8, DIP-8 | Operational Amplifier, 2 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, DMP-8 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | New Japan Radio Co Ltd | New Japan Radio Co Ltd |
零件包装代码 | DIP | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.3 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 1.8 µA | 1.8 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 1.8 µA | 1.8 µA |
最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB |
标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB |
频率补偿 | YES | YES |
最大输入失调电压 | 3000 µV | 3000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e6 | e6 |
长度 | 8.8 mm | 5 mm |
低-失调 | NO | NO |
负供电电压上限 | -22 V | -22 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
功能数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 75 °C | 75 °C |
最低工作温度 | -20 °C | -20 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | SOP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 260 |
电源 | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.7 mm | 2 mm |
标称压摆率 | 15 V/us | 15 V/us |
最大压摆率 | 16 mA | 16 mA |
供电电压上限 | 22 V | 22 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | YES |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 13000 kHz | 13000 kHz |
最小电压增益 | 14125.4 | 14125.4 |
宽度 | 7.62 mm | 5 mm |
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