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BZT52-B17-AU_R1_000A1

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小196KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZT52-B17-AU_R1_000A1概述

Zener Diode,

BZT52-B17-AU_R1_000A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SOD-123, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗40 Ω
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
膝阻抗最大值200 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.41 W
参考标准AEC-Q101
标称参考电压17 V
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压13 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

BZT52-B17-AU_R1_000A1文档预览

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BZT52-B2V4-AU SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
410 mWatts
0.154(3.90)
0.141(3.60)
0.110(2.80)
0.098(2.50)
FEATURES
• Planar Die construction
• 410mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4~75V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Acqire quality system certificate : TS16949
• AEC-Q101 qualified
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.008(0.20)MAX.
0.028(0.70)
0.019(0.50)
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.053(1.35)
0.037(0.95)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0004 ounces, 0.01 grams
0.005(0.12)MAX.
0.016(0.40)MIN.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
o
Parameter
Maximum Power Dissipation (Note 1)
Forward Voltage Drop at I
F
=10mA
Junction to Ambient (Note 2)
Thermal Resistance
Junction to Lead
Operating Junction Temperature and StorageTemperature Range
Symbol
Value
410
0.9
430
Units
mW
V
P
D
V
F
R
JA
R
JL
T
J
O
C/W
320
-55 to +150
O
C
1
2
Cathode
Anode
NOTES:
1. Mounted on 48 cm
2
FR-4 PCB .
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November 4,2013
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