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FDS6692

产品描述12000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小743KB,共5页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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FDS6692概述

12000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8

FDS6692规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码SOT
包装说明SO-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.012 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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