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UF154G_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF154G_R2_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15,

UF154G_R2_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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UF150G~UF1510G
GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
1.5 Ampere
CURRENT
VOLTAGE
50 to 1000 Volt
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Ultra fast recovery for high efficiency.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.034(0.86)
0.028(0.71)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic, DO-15
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
0.300(7.6)
0.230(5.8)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PARAM ETER
M a ximum Rec ur r e nt Pe a k Reve r se Vo lt a g e
M a ximum RM S Vo lt a g e
M a ximum DC Blo ck ing Vo lt a ge
M a ximum Ave r ag e F or w ar d Cur r ent 0. 3 75 " ( 9 . 5 mm)
le a d lengt h at T
A
= 5 5
O
C
Pe a k F or w ar d Sur g e Cur re nt : 8. 3ms sing le ha lf sine- w ave
supe r impo se d o n r at e d lo a d
M a ximum Fo r w a r d Vo lt a ge a t 1 . 5 A
M a ximum DC Re ver s e Cur r e nt a t Ra t e d DC Bloc king
Vo lt a g e
Typ ic al Junc t io n Ca p ac it a nce ( No t e 1 )
Typ ic al The r mal Re sist a nce ( Not e 2 )
M a ximum Reve r se Re co ve r y Time ( No t e 3)
O pe r a t ing J unct ion a nd St o r a ge Te mp e r at ur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
SY M BO L UF 15 0 G
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F( AV)
I
F SM
V
F
I
R
C
J
R
θJ
A
t
rr
T
J
, T
ST G
50
35
50
UF1 5 1 G UF1 5 2G UF1 5 4G UF1 56 G UF1 58 G UF15 1 0 G UNI T S
10 0
70
10 0
2 00
140
2 00
40 0
28 0
40 0
1.5
50
1
1. 3
1
1 50
25
50
50
- 5 5 t o + 1 50
10 0
O
1.0(25.4)MIN.
0.140(3.6)
0.104(2.6)
60 0
42 0
60 0
80 0
5 60
80 0
10 0 0
7 00
10 0 0
V
V
V
A
A
1.7
V
μA
pF
C / W
ns
O
C
NOTES :
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient.
3. Reverse Recovery Time I
F
=0.5A ,I
R
=1A , I
rr
=0.25A
May 20,2015-REV.05
PAGE . 1
quartus 2 9.0编译无法进行
q2 9.0 无法编译 错误显示如下 怎样才能解决? Internal Error: Sub-system: AMERGE, File: /quartus/atm/amerge/amerge_kpt_op.cpp, Line: 220 cmp_merge_kpt_db Stack Trace: 0x3 ......
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