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MBR3150_B0_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR3150_B0_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

MBR3150_B0_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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MBR340 SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Low Power Loss, High Efficiency
• High Surge Capability
• High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
• Surge Overload Rating to 80A Peak
0.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
40 to 200 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
• Guard Ring Die Construction for Transient Protection
0.052(1.3)
0.048(1.2)
and Polarity Protection Applications .
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
0.285(7.2)
• For Use in Low Voltage,High Frequency Inverters ,Free Wheeling ,
• Case: DO-201AD Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounce, 1.122 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum R MS V o lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng V o lta g e
A ve ra g e Re c ti fi e d O utp ut C urre nt
(S e e F i g ure 1 )
No n-Re p e ti ti ve P e a k F o r wa rd S urg e C urre nt : 8 . 3 ms
s i ng le ha lf s i ne -wa ve s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d
F o rwa rd Vo lta g e a t 3 . 0 A ( No te 3 )
P e a k R e ve rs e C urre nt a t Ra te d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e ( No te 2 )
(No te 1 )
(No te 1 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
A
R
θJ
C
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
1.0(25.4)MIN.
MECHANICAL DATA
0.210(5.3)
0.188(4.8)
MB R3 4 0
MB R3 4 5 MB R3 5 0 MB R3 6 0 MB R3 8 0 MB R3 9 0 MB R3 1 0 0 MB R3 1 5 0 MB R3 2 0 0
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
3 .0
80
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 4
0 .0 5
10
50
12
15
0 .8 0
0.9
V
mA
O
C / W
O
-5 5 to +1 5 0
-6 5 t o + 1 5 0
C
Notes :
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Minimum Pad Area
3. Pulse test : 300μs pulse width , 1% duty cycle
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PAGE . 1
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