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SB830DT/R13

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小117KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB830DT/R13概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

SB830DT/R13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码D2PAK
包装说明R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SB830DT/R13文档预览

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SB820D SERIES
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.110(2.8)
0.236(6.0)
0.197(5.0)
0.026(0.7)
0.011(0.3)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.108(2.75)
0.092(2.35)
0.35(0.9)MAX.
0.357(9.1)
0.335(8.5)
20 to 60 Volts
CURRENT
8 Amperes
0.409(10.4)
0.387(9.80)
0.189(4.8)
0.137(4.4)
0.055(1.4)
0.047(1.2)
0.418(10.6)
0.378(9.60)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-263 / D
2
PAK molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.06 ounces, 1.7 grams.
0.108(2.75)
0.092(2.35)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi m um Re c urr e nt P e a k Re ve r s e Vo lt a g e
Ma xi m um RM S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o r wa rd C urre nt a t
Tc = 7 5
O
C
P e a k F o r wa rd S urg e C urr e nt :8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e ri m p o s e d o n r a te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi m um F o rwa r d Vo lta g e a t 8 .0 A
Ma xi m um D C R e ve rs e C ur re nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e
Op e r a ti ng J unc ti o n Te m p e ra ture Ra ng e
S to ra g e Te m p e ra tur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
T
S TG
- 5 5 to + 1 2 5
0 .5 5
0 .2
50
3
-5 5 to + 1 5 0
- 5 5 to + 1 5 0
O
SB820D SB830D SB840D SB850D SB860D
20
14
20
30
21
30
40
28
40
8
150
0 .7 5
50
35
50
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
A
V
mA
C / W
O
C
C
O
NOTE:
Both Bonding and Chip structure are available.
August 19,2010-REV.02
PAGE . 1
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