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SBL2035CT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小37KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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SBL2035CT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

SBL2035CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流225 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
SBL2030CT thru 2060CT
REVERSE VOLTAGE
- 30
to
60
Volts
FORWARD CURRENT
- 20
Amperes
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
B
C
K
PIN
1
2
3
TO-220AB
L
M
D
A
E
TO-220AB
MIN.
DIM.
MAX.
14.22
15.88
A
10.67
B
9.65
3.43
C
2.54
D
6.86
5.84
9.28
8.26
E
6.35
F
-
14.73
12.70
G
H
2.79
2.29
I
J
K
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
0.64
4.09
4.83
F
G
I
J
N
H H
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AB molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams
Mounting position : Any
L
M
1.14
1.40
2.92
N
2.03
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current (See Fig.1)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
SBL
2030CT
30
21
30
SBL
2035CT
35
24.5
35
SBL
2040CT
40
28
40
20
SBL
2045CT
45
31.5
45
SBL
2050CT
50
35
50
SBL
2060CT
60
42
60
UNIT
V
V
V
A
@T
C
=
95
C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Forward Voltage
at 10A DC (Note 1)
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
per element (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
I
FSM
V
F
0.55
250
0.75
1
50
600
2.0
-55 to +125
-55 to +150
A
V
mA
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
I
R
C
J
R
0JC
T
J
T
STG
C
C
REV. 3, 13-Sep-2001, KTHC06
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
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