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PJESD6V8LC-4T/R13

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 2W, Unidirectional, 4 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-5
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小260KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESD6V8LC-4T/R13概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 2W, Unidirectional, 4 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-5

PJESD6V8LC-4T/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
最大击穿电压7.04 V
最小击穿电压6.37 V
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G5
最大非重复峰值反向功率耗散2 W
元件数量4
端子数量5
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJESD5V6LC-4~PJESD6V8LC-4
FEATURES
• Based on the electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2),
the product assures the minmum endurance of 8kV.
• Capacitance is small with 10pF (at V
R
=0V,f=1MHz) between the
terminal. It is excellent in the frequency characteristic.
• With 4 elements mouted (common anode) in the 5-pin mini mold
package, that product can cope with high density assembling.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
SOT23-5L
MECHANICAL DATA
Case : SOT23-5L, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.015 gram
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Dissipation
Surge Reverse Power
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
P
RSM
T
J
,T
STG
Value
200
2
-55 to 150
Unit
mW
W
O
C
ELECTRICAL CHARACTERISITCS
B r e a k d o w n Vo lt a g e
V
BR
N o te 1
Part Number
MIN .
V
PJESD5V6LC-4
PJESD6V2LC-4
PJESD6V8LC-4
5.32
5.89
6.37
MAX .
V
5.88
6.51
7.04
I
T
mA
1
1
1
Dynamic
impedance Z
Z
(Ω )
MAX.
80
50
30
I
T
(m A)
5
5
5
Reverse
µ
Leakage I
R
(µ A)
MAX.
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
3.3
4.3
5.0
Capacitance Ct(p F )
Te s t
C o n d itio n
ESD Voltage (kV) Note 3
Marking
C ode
T Y P.
10
8
7
MIN .
8
Te s t C o n d i t i o n
C=150pF
R=300
Contact
discharge
SAT
SAU
SAV
V
R
=0V
f=1MH
Z
8
8
6
4
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