Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6KE200CA-AU_B0_000A1

文档预览

P6KE200CA-AU_B0_000A1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小178KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

P6KE200CA-AU_B0_000A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,

P6KE200CA-AU_B0_000A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED
最大击穿电压	210 V
最小击穿电压	190 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压	171 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

P6KE200CA-AU_B0_000A1文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6KE-AU SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 550 Volt

Recongnized File # E210467

1.0(25.4)MIN.

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• 600W surge capability at 1ms

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1 ps from 0 volts to BV min

• Acqire quality system certificate : TS16949

• AEC-Q101 qualified

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

0.034(0.86)

0.028(0.71)

0.300(7.6)

0.230(5.8)

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-15 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Power Dissipation on T

=25

C, T

=1ms (Notes 1)

Typical Thermal Resistance (Notes 2)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

θJ

θJC

PPM

F S M

S TG

1.0(25.4)MIN.

0.140(3.6)

0.104(2.6)

Value

600

see Table

100

-65 to +175

Units

Watts

C/W

Amps

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig. 2.

2. Mounted on 48cm

FR-4 PCB.

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

December 22,2014-REV.00

PAGE . 1

推荐资源

＃以拆会友＃蓝牙小音箱: 本帖最后由数码小叶于 2015-7-20 18:57 编辑到手一周的蓝牙小音箱，用一句话来形容最合适“麻雀虽小，五脏俱全”:pleased: 功能有：1、蓝牙连接模式；2、 FM收音模式；3、外接音频模 ......; 数码小叶以拆会友

听说工厂那边裁掉不少人: 这次经济危机还是影响比较大的,许多工厂都开始裁员了,我们公司的生产部门也裁掉不少人. 现在研发部门还没有影响,如果经济继续恶化的话,说不定会有更多的人被裁.每次过冬变动比较大, 其实比较 ......; shicong 工作这点儿事

【求教】请问我的CCS为什么没有‘Resume’功能，谢谢大神指教: 如图，我CCS左上角那些见从始至终都是灰色的，不能用，搜了半天也没解决，请大神赐教 ...; ailulqf 微控制器 MCU

WINCE开机自启动异常: 请问：修改wince注册表 "Launch80"="app.exe" "Depend80"=hex:1E,00 开机后程序可自启动，但是本来工作正常的应用程序在启动后出了错误：80 is not found.一确定程序就退出。再打开又运 ......; hopely 嵌入式系统

13清单，大家讨论下啊: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:44 编辑 126477 ...; picasso101 电子竞赛

【CN0219】采用ADAV801/ADAV803实现与SigmaDSP编解码器的的S/PDIF和I2S接口: 电路功能与优势S/PDIF（索尼/飞利浦数字接口）是消费电子设备常用的一种高质量数字音频格式，用于音频设备的互连。许多音频编解码器/DSP仅支持I2S作为数字音频输入/输出，当在需要同时支持S/PDI ......; EEWORLD社区 ADI 工业技术

意法半导体发布 IFRS 2025半年财报

2025年8月21日，中国–服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)在公司官网上公布了截至2025年6月28日为期六个月的IFRS2025半年财报，并提交荷兰金融市场管理局(AFM)报备。本公司的半年财报是按照国际财务报告准则(IFRS-EU)编制，在本公司网站和荷兰金融管理局(AFM)网站上均有发布。...[详细]
挑战 SK 海力士：消息称三星 HBM4 样品已通过英伟达测试

8月21日消息，据韩媒SEDaily昨天报道，据半导体业界消息，三星上月提供给英伟达的HBM4样品已通过初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。其中“预生产”（IT之家注：PP，Pre-Production）是指半导体芯片量产前实施的最终验证阶段，需要测试其与客户GPU产品的兼容性，以及在特定温度下能否满足高质量标准。SEDaily表示，HBM4芯片将被应用在...[详细]
Coherent越南投资 1.27 亿美元新建工厂

美国萨克森堡的材料、网络和激光技术公司CoherentCorp在越南同奈省仁泽工业园区新建的一座价值1.27亿美元的制造工厂正式落成。该工厂将生产精密工程材料和光子学组件，这些产品应用广泛，涵盖智能手机、电动汽车乃至先进医疗设备等多个领域。越南副总理阮志勇在开业典礼上表示：“越南正积极发展包括半导体在内的关键战略产业。今天的活动是落实《越美关系升级为全面战略伙伴关系联合声明》的具...[详细]
英特尔支持第八届进博会创新不息，共创AI普惠新生活

近日，第八届中国国际进口博览会在上海开幕。英特尔携手AI与计算领域生态伙伴亮相展会，重点展示共同打造的AIPC及智能应用场景创新成果。英特尔副总裁萨拉•坎普（SarahKemp）与英特尔中国区董事长王稚聪参与多项活动，与各界伙伴深入交流。在进博会开幕前日，由商务部创新打造的“共享大市场•出口中国”品牌，举办“出口中国”系列活动的启动仪式。英特尔中国区董事长王稚聪出席活动，与产业...[详细]
内存供应危机：三星、SK 海力士被曝优先为苹果、联想等四大 PC 巨头供货

12月31日消息，行业媒体Digitimes昨日（12月30日）报道，三星、SK海力士等主要内存供应商已开始“挑选”客户，优先确保对苹果、戴尔、联想及华硕这四家PC巨头的长期供货。全球DRAM（动态随机存取存储器）短缺已进入一个新阶段，供应商由此掌握了市场主导权，内存行业正进入一个“卖方市场”。报道指出，随着内存合约价格飙升，三星（Samsung）和SK海力士（S...[详细]
中国内存第一大厂：长鑫科技宣布要IPO上市

12月31日消息，我国内存第一大厂长鑫科技宣布要IPO上市了，拟发行不超过106.22259999亿股股票，融资金额为295亿元。官方给出的IPO招标书中显示，长鑫科技宣称是我国“规模最大、技术最先进、布局最全”的DRAM研发设计制造一体化企业。目前，公司完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代...[详细]
硅芯科技发布2.5D/3D EDA⁺新范式，重构先进封装协同设计体系

11月20日至21日，ICCAD-Expo2025在成都中国西部国际博览城顺利举办。大会以“开放创新，成就未来”为主题，吸引2000余家集成电路企业与6300多名专业观众到场，汇聚产业链上下游力量，全面呈现国内芯片设计与先进封装领域的最新趋势。大会现场展会期间，硅芯科技创始人兼首席科学家赵毅博士受邀出席高峰论坛，并正式对外发布“2.5D/3DEDA⁺新范式，重构先进封装全流...[详细]
报告称高昂 3nm 工艺成本拖累台积电美国业务，2025Q3 利润环比降幅 99%

11月18日消息，工商时报昨日（11月17日）发布博文，报道称台积电位于美国亚利桑那州的工厂正面临严峻的财务压力。数据显示，该工厂的利润呈断崖式下滑，2025年第2季度盈利42.32亿新台币（IT之家注：现汇率约合9.68亿元人民币），而在第3季度骤降至仅4100万新台币（现汇率约合938.1万元人民币），降幅达到99%。该媒体指出台积电赴美建厂，一方面...[详细]
SK海力士正研发高带宽存储：16层DRAM和NAND芯片层层堆叠，为手机AI性能加buff

据韩国“电子新闻”今日报道，高带宽内存（HBM）的发展，正在推动存储大厂SK海力士攻克新的性能瓶颈——研发高带宽存储（HBS）。这项新技术有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。SK海力士计划采用一种名为垂直导线扇出（VFO）的封装工艺，将最多16层DRAM与NAND芯片垂直堆叠，从而显著提升数据处理速度。从报道中获悉，VFO封装是HBS能否成...[详细]
三星韩美半导体工厂被曝按下暂停键

9月26日消息，韩媒DigitalDaily昨日（9月25日）发布博文，报道称三星已经停止了韩国平泽的P4、美国泰勒市（Taylor）Plant2半导体工厂建设计划。报道称三星已经暂停上述两个工厂的建设和设备订购活动，并希望对半导体投资采取更加保守的态度。三星还通知多家供应商，推迟平泽和美国泰勒二厂的半导体设备、设施和基础设施的主要订单。三星原本计划在美国投资440...[详细]
Arm 发布 2024 年可持续发展商业报告

Arm对于实现能效技术创新的持续承诺，是其践行企业使命的重要一环。在当前的人工智能(AI)时代，计算需求以前所未有的速度加速增长，这项承诺的重要性更胜以往。相较于过往，现在更是需要考虑科技对人类和地球影响的时刻。这不仅在当前的气候危机情势下十分关键，对于实现改变生活的社会性突破，以及充分发挥AI的潜力与优势也同样重要。Arm也持续致力于寻找降低AI能耗的方法。Arm...[详细]
DigiKey 将在 electronica 2024 展示新产品和供应商，彰显其在欧洲的增长潜力

全面现货供应、提供快速交付的全球电子元器件和自动化产品分销商DigiKey将参加2024年11月12日至15日在德国慕尼黑举办的electronica电子展，诚邀各位参会者莅临B4展厅578号展位参观交流。DigiKey将在展会上重DigiKey将在展会上重点推介领先厂商的高端产品，展示多项技术和工具，并赠送精美礼品。敬请莅临B4展厅578号...[详细]
全球汽车产业遭受缺“芯”之痛芯片产业博弈将加剧

当引以为傲的汽车工业受到威胁时，欧洲人开始认真反思其在全球半导体产业中的地位与角色，谋划如何打造自己独立和强大的芯片产业。　　欧洲汽车业作为半导体产业的重要用户，深刻体会到了“缺芯”之痛。据市场研究机构IHS估算，今年因芯片短缺问题，全球汽车行业减产将高达100万辆。市场分析机构和各大车企认为，当前面临的芯片供货紧张局面在今年上半年几乎不可能缓解。　　“缺芯”困局不仅对全球芯片产业链产生...[详细]
LG与SK达成18亿美元和解协议：拜登发声明祝贺

北京时间4月12日早间消息，据报道，SK创新和LG能源解决方案两大韩国电动汽车电池制造商，就一场激烈的贸易冲突在美国达成和解，为美国总统拜登化解了两难境地。根据双方共同发布的声明，SK创新同意向LG化学旗下LG能源解决方案支付2万亿韩元（18亿美元）费用，并将以现金和授权费两种形式平均支付。　　这两家公司在联合声明中表示，“将通过良性竞争和友好合作携手促进韩国和美国电动汽车电池行业...[详细]
如何利用智能制造提高半导体工厂效率

本文编译自embedded-computing半导体制造设施不同于其他任何工厂。他们可以有数十亿美元的投资，用于生产人类有史以来一些最小的商用产品。小到一点灰尘都会对最终产品造成无法弥补的损害。几十年来，该行业开创了许多流程，其他工业制造商最终将在几十年后采用这些流程。随着越来越多的产品、设备和系统依赖计算能力和复杂的纳米架构来运行，对晶圆的需求预计只会增长。但是，这种工业制造业不可...[详细]

小广播

热搜元器件