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SBT20100VDC_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBT20100VDC_R2_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

SBT20100VDC_R2_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.71 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流80 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

SBT20100VDC_R2_10001文档预览

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SBT20100VDC
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Ultra low forward voltage drop, low power loss
• High efficiency operation
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.110(2.8)
0.236(6.0)
0.197(5.0)
0.026(0.7)
0.011(0.3)
0.357(9.1)
0.335(8.5)
100 Volt
CURRENT
20 Ampere
0.409(10.4)
0.387(9.80)
0.189(4.8)
0.137(4.4)
0.055(1.4)
0.047(1.2)
0.418(10.6)
0.378(9.60)
MECHANICAL DATA
Case : TO-263/D
2
PAK, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight : 0.0514 ounces, 1.46 grams.
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.108(2.75)
0.092(2.35)
0.035(0.9)MAX.
0.108(2.75)
0.092(2.35)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Typical junction capacitance (V
R
=4V, f=1MHz)
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
( No te 1 )
per device
per diode
per diode
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
C
J
R
ΘJC
T
J
T
STG
VALUE
100
70
100
20
10
150
620
3.5
-55 to + 150
-55 to + 150
UNIT
V
V
V
A
A
pF
O
C /W
o
C
C
o
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.
August 12,2013-REV.00
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