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MBR30100FCT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小265KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR30100FCT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MBR30100FCT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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MBR3040FCT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
40 to 200 Volt
CURRENT
30 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAM ETER
M aximum Recur r ent Peak Reverse Volt age
M aximum RMS Volt age
M aximum DC Blocking Voltage
M aximum Aver age For w ar d Curr ent
Peak For w ard Surge Cur rent : 8.3ms single
half sine-w ave super imposed on rated load
M aximum For war d Voltage at 15A per leg
M aximum DC Reverse Curr ent
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Ther mal Resistance
Operating Junction and
StorageTemper at ur e Range
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
SYM BOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θJC
T
J
, T
STG
MBR3040FCT M BR3045FCT M BR3050FCT M BR3060FCT MBR3080FCT M BR3090FCT M BR30100FCT M BR30150FCT MBR30200FCT
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
30
275
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0. 7
0. 75
0.1
20
1.4
0. 8
0.05
20
0.9
V
mA
O
C/ W
O
-55 t o + 150
- 65 t o + 175
C
Note : Both Bonding and Chip structure are available.
October 14,2016-REV.05
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