Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RMB10M

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RMB10M: 产品描述Bridge Rectifier Diode,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小499KB，共3页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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RMB10M概述

Bridge Rectifier Diode,

RMB10M规格参数

参数名称	属性值
包装说明	R-PDIP-T4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	1000 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	0.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
最大重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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RMB2M

RMB10M

Glass Passivated Fast Recovery Bridge Rectifier

Reverse Voltage 200 to 1000 Volts Forward Current 0.5 Ampere

Features

◆

Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-0

◆

Glass passivated chip junctions

◆

Fast recovery, low switching loss

◆

High temperature soldering guaranteed:260°C/10 seconds

◆

Long pointed leads: 3.70mm-4.05mm

Mechanical Data

◆

Case:Molded plastic body over passivated junctions

◆

Terminals: plated leads solderable per MIL STD 750

MIL-STD-750,

Method 2026

◆

Polarity:Polarity symbols marked on body

◆

Mounting Position: Any

◆

Weight:0.078 oz., 0.22g

Package: MBM

Maximum Ratings & Electrical Characteristics

=25°C unless otherwise noted)

Parameter

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum Average forward output current

(see Fig.1)

on glass-epoxy P.C.B

on aluminum substrate

Peak forward surge current 8.3 MS single HALF sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Rating for fusig (t<8.3ms)

R ti f f i (t 8 3 )

Maximum instantaneous forward voltage drop

per leg at 0.4A

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per leg

=25°C

=125°C

FSM

Trr

θJA

Typical thermal resistance per leg

θJA

θJL

Typical junction capacitance per at 4.0V,1.0MHz

Operating junction and storage temperature range

J,T

STG

150

F(AV)

0.5

(1)

0.8

(2)

Symbol

RRM

RMS

RMB2M

200

140

200

RMB4M

400

280

400

RMB6M

600

420

600

RMB8M

800

560

800

RMB10M

1000

700

1000

Unit

1.30

100

250

(1)

(2)

(1)

A sec

µA

500

°C/W

Maximum reverse recovery time at I

=0.5A,I

=1.0A,Irr=0.25A

-55 to +150

°C

Notes:

1. On glass epoxy P.C.B. mounted on 0.05×0.05"(1.3×1.3mm) pads

2. On aluminum substrate P.C.B.whth an area of 0.8×0.8"（20×20mm）mounted on 0.05×0.05"(1.3×1.3mm) solder pad

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