IC 1M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 70 ns, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19, Dynamic RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | ZIP |
| 包装说明 | ZIP, |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | STATIC COLUMN |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PZIP-T19 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 25.8 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STATIC COLUMN DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 19 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | ZIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 |
| 座面最大高度 | 10.16 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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