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P6SMB16-T/R

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小140KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P6SMB16-T/R概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

P6SMB16-T/R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE
最大击穿电压17.6 V
最小击穿电压14.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压12.9 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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P6SMB SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
6.8 to 550 Volts
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Typical I
D
less than 1.0µA above 10V
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Fammability Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-214AA ,Molded plastic over passivated junction
Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000uS waveform (Notes 1,2, Fig.1)
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)
Peak Pulse Current on 10/1000us waveform(Note 1)Fig.3
Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
P P M
I
F S M
I
P P M
R
θ
J A
T
J
,T
S T G
Value
600
100
see Table 1
60
-55 to +150
Units
Watts
Amps
Amps
O
C/W
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
O
C per Fig. 2.
2. Mounted on 5.0mm
2
(0.13mm thick) land areas.
3. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
STAD-APR.21.2009
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