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ES1E-AU_R1_000A1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小79KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ES1E-AU_R1_000A1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

ES1E-AU_R1_000A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ES1A-AU~ES1J-AU
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
1 Ampere
CURRENT
VOLTAGE
50 to 600 Volt
FEATURES
For surface mounted applications in order to optimize board space
Easy pick and place
Superfast recovery times for high efficiency.
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Acqire quality system certificate : TS16949
• AEC-Q101 qualified
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.098(2.50)
0.114(2.90)
0.181(4.60)
0.157(4.00)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
0.208(5.28)
0.188(4.80)
0.062(1.60)
0.047(1.20)
0
.
012(0
.
305)
0
.
006(0.152)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram
0.060(1.52)
0.030(0.76)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Rec urre nt P e a k Re ve rse Vo lta ge
Ma xi mum RMS Voltag e
Ma xi mum D C B loc ki ng Volta g e
Ma xi mum A ve ra ge F o rwa rd C urre nt at T
L
=1 20
O
C
P e ak F o rward S urg e C urre nt : 8.3 ms s i ng le ha lf si ne-wa ve
supe ri mpo se d o n ra te d loa d
Ma xi mum F orwa rd Volta g e a t 1 A
Ma xi mum D C Re ve rs e C urrent a t Rate d D C B loc ki ng T
J
=25
O
C
T
J
=10 0
O
C
Vo lta ge
Ma xi mum Reverse Re co ve ry Ti me (Note 1)
Typi c al Junc ti on C a pa ci tance (Note 2)
Typi c a The rmal Re si sta nc e (No te 3)
Op era ti ng Junc ti o n a nd S torag e Te mp erature Ra ng e
S YMB OL E S 1A -A U E S 1B -A U E S 1 C -A U E S 1 D -A U E S 1 E -A U E S 1 G-A U E S 1J -A U UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
J
L
T
J
,T
S TG
0 .9 5
1
1 50
35
7
35
-55 to +15 0
O
50
35
50
1 00
70
1 00
1 50
1 05
1 50
20 0
1 40
20 0
1
30
3 00
21 0
3 00
4 00
28 0
4 00
6 00
42 0
6 00
V
V
V
A
A
1 .25
1 .7
V
A
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:
1.Reverse Recovery Tset Conditions : I
F
=0.5A,I
R
=1A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 volts.
3.8mm
2
( 0.013mm thick ) land areas.
February 06,2014
Document Number : 121205
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