电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MMBD4448HTA

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 80V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小173KB,共4页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
下载文档 详细参数 全文预览

MMBD4448HTA概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 80V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

MMBD4448HTA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

MMBD4448HTA文档预览

下载PDF文档
MMBD4448HTA
SURFACE MOUNT
FAST SWITCHING DIODE
FEATURES
REVERSE VOLTAGE – 80 Volts
FORWARD CURRENT – 0.25 Ampere
SOT-523
SOT-523
Dim.
A
A1
b
c
D
E
E1
e
e1
L
Min.
Max.
Fast switching speed
Ideally suited for automatic insertion
For general purpose switching applications
MECHANICAL DATA
Case: SOT-523 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Lead free in RoHS 2002/95/EC compliant
0.70
0.90
0.00
0.10
0.25
0.325
0.10
0.20
1.50
1.70
1.45
1.75
0.75
0.85
0.50 Typ.
0.90
1.10
0.55 Ref.
Dimensions in millimeter
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
@ T
A
= 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@t=1us
@t=1s
Symbol
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
R
Θ
JA
T
J
T
STG
MMBD4448HTA
100
80
57
500
250
4
1.5
150
833
150
-65~+150
Units
V
V
V
mA
mA
A
mW
/W
Electrical Characteristics
@
T
A
= 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
Maximum Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Diode Capacitance
Reverse Recovery time
Test Condition
I
R
= 100uA
I
F
= 5mA
I
F
= 10mA
I
F
= 100mA
I
F
= 150mA
V
R
= 70V
V
R
= 20V
V
R
=6V,f=1MHz
V
R
=6V, I
F
=5mA
Symbol
V
BR
V
F
Min.
80
620
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
Max.
--
720
855
1000
1250
100
25
3.5
4
Unit
V
mV
I
R
C
D
trr
nA
pF
ns
REV. 2, Jul-2012, KSYR75
uCOS-II移植到at9261
用的是atmel 对应于at9261板子的官网上的内核 现在的情况是bootstrap已经成功加载进板子了,就是一直引导内核不成功。 求高手指导啊~ 本帖最后由 曳尾鱼 于 2012-3-21 09:42 编辑 ]...
曳尾鱼 实时操作系统RTOS
STM32的浮点数运算能力怎样?
请教各位大侠,STM32的浮点数运算能力怎么样呢? 还有将浮点数运算转成定点数运算,速度是不是会快一些呢?...
alice84 stm32/stm8
毫米波多通道扫频天线测量系统
随着电子技术的飞速发展,电磁研究的不断深入,天线作为信号接收和发射不可或缺的关键部件,其发展和应用已经渗透到雷达、电子对抗、导航和通信等诸多领域。高性能新型天线的设计与研制已成为一 ......
songbo 测试/测量
最近选型,选用了MSP430FE427,里面的西格码AD性能怎样
最近选型,选用了MSP430FE427,里面的西格码16位AD性能怎样有用过的没有,以前的方案是51+ICL7135+ILC7650对0-200mV的信号测量,...
我爱电子 微控制器 MCU
射频天线指标图解
GSM/WCDMA/TDSCDMA/LTE/5G NR的帧结构, 522164522165 522166LTE:36_211_TDD_DL_FrameStructure.png 522167 5G:NR_Numerology_FrameStructure_u_0__NormalCP_38_211_01.png 接 ......
btty038 无线连接
【已颁奖】学最新DLP课程,跟帖抢楼赢好礼!
活动时间: 11月14号—12月15号 抢楼赢礼: Step1. 认真学习《DLP微型投影业务及技术应用介绍》课程 Step2. 在抢楼贴跟帖发表学习心得 Step3. 我们在抢楼贴中预埋了中奖楼层 ......
EEWORLD社区 TI技术论坛
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved