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GS2006HE_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小156KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GS2006HE_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon,

GS2006HE_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流1 µA
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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GS2004HE SERIES
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Ideal for automated placement
Glass Passivated Chip Junction
Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives.
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.114(2.90)
0.106(2.70)
400 to 800 Volts
CURRENT
2 Amperes
0.046(1 .15)
0.033(0 .85)
0.040(1.00)
0.031(0.80)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123HE, Molded plastic over passivated junction
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx. Weight: 0.0001 ounce, 0.0042 gram
• Standard Packaging : 8mm tape (EIA-481)
• Polarity : Color band denotes cathode end
0.091(2.30)
0.074(1.90)
0.154(3.90)
0.137(3.50)
0.012(0.30)
0.007(0.20)
0.048(1.20)
0.031(0.80)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
PA RA ME TE R
Ma rk i ng C o d e
Ma xi mum Re c urr e nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o r wa rd C urr e nth a t T
L
= 1 0 0
O
S YMB OL
-
V
RRM
V
RMS
V
DC
C
I
F (AV )
I
F S M
V
F
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 2 5
O
C
I
R
C
J
R
J
L
T
J
,T
S TG
GS 2 0 0 4 HE
4H
400
280
400
GS 2 0 0 6 HE
6H
600
420
600
2 .0
50
1 .1
1 .0
50
12
10
- 5 5 to +1 5 0
GS 2 0 0 8 HE
8H
800
560
800
UNITS
-
V
V
V
A
A
V
A
pF
O
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri m p o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 2 .0 A
Ma xi mum D C Re ve rs e C urre nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l J unc ti o n c a p a c i ta nc e ( No te 1 )
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e (No te 2 )
Op e r a ti ng a nd S to r a g e Te m p e ra tur e Ra ng e
NOTES :
1. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
2. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
C / W
O
C
March 01,2011-REV.01
PAGE . 1
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