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S510LT/R7

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小75KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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S510LT/R7概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

S510LT/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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S510L
LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.128(3.25)
0.108(2.75)
0.245(6.22)
0.220(5.59)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
100 Volts
CURRENT
5.0 Amperes
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
I
F(AV)
I
FSM
R
Θ
JA
T
J
T
STG
VALUE
100
70
5
250
90
-55 to + 150
-55 to + 150
o
UNIT
V
V
A
A
C/W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=1A
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=1A
I
F
=3A
I
F
=5A
V
R
=70V
Reverse current
I
R
V
R
=100V
T
A
=25
o
C
T
A
=125
o
C
T
A
=25
o
C
TYP.
100
0.44
0.58
0.68
0.35
0.49
0.56
10
-
-
MAX.
-
-
-
0.70
-
-
0.6
-
50
50
UNIT
V
V
Instantaneous forward voltage
V
F
T
A
=125
o
C
V
μA
μA
mA
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PAGE . 1
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