Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> KTA1281(TO-92L)

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KTA1281(TO-92L): 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小272KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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KTA1281(TO-92L)概述

Transistor

KTA1281(TO-92L)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92L

KTA1281

TRANSISTOR (PNP)

EMITTER

FEATURES

Low Collector Saturation Voltage: V

CE(sat)

=-0.5V(Max.)(I

=-1A)

High Speed Switching

Time:

stg

=1.0

μS(Typ.).

Complementary to KTC3209.

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

COLLECTOR

BASE

Value

-50

-5

-2

150

-55-150

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25

℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

FE(1)

DC current gain

FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Out capacitance

Turn-on time

Storage time

Fall time

(sat)

=-30V,I

=-I

=-0.05A,

=-1A

= -2V,

= -1.5A

-0.5

-1.2

100

0.1

MHz

=-1A, I

= -0.05A

=-1A, I

= -0.05A

=-2V, I

=-0.5A

= -10 V , I

=0 , f=1MH

Test

conditions

Min

-50

-5

-0.1

240

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

= -100 uA, I

= -10mA, I

= -100

A, I

= -50 V , I

= -5V ,

= -2V,

= -0.5A

CLASSIFICATION OF h

FE(1)

Rank

Range

70-140

120 - 240

A,Jun,2011

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英特尔财报亮丽预期半导体业下半年转佳

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半导体业10年来零增长代工业受惠景气复苏

里昂在最新出具的产业报告中指出，全球半导体产业在2001-2010年间增长率几近于0，表现远不如1980、1990年代。不过，受惠于整合组件大厂释单，晶圆代工业者的表现优于整体半导体业。里昂表示，全球半导体产业在2001年和2009年有两波大幅度拉回，2001-2010年之间，几乎可以说是零增长，表现不如1980、1990年代时平均14-15%的增长表现。不过，里昂指出...[详细]
Titan混合信号平台支持台积电iPDK要求

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恩智浦半导体2009年第二季度业务表现出色

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设备厂与半导体、面板厂客户默契需建立

现金为王的观念是风暴下企业求生之道，冻结资本支出，递延设备订单，成了常态，不过也因为这一连串半导体、面板、PCB及太阳能等引发的设备冻结现象，终于使设备厂与上游客户关系失衡的问题，浮上台面，半导体高层认为，双方不应只是买卖关系，而应该是互相扶持的共生关系，建立协商默契，这样的思维才能让台湾在走向次世代科技发展，根基更稳固。一直以来，台湾设备业者处于较被动的姿态，在客户资金紧缩时，...[详细]
全球太阳能装机市场到2013年将达到900亿美元

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鸿海4月营收同比环比均下降8% 低于分析预期

据台湾媒体报道，代工企业鸿海公布，该公司2009年4月非合并营收为944.07亿元新台币(下同)，较2008年同期1028.65亿元减少8.22%，较3月1028.74亿元减少8.23%。累计2009年1至4月的非合并营收为3724.05亿元，较2008年同期减少7.98%。　　鸿海指出，4月营收未达千亿元，主要原因为消费性电子产品及网通产品的营业额较3月下滑，但个人电脑产品则为上升状...[详细]
京东方一季度亏损4.1亿元

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内存厂商奇梦达破产律师称考虑出售部分资产

据国外媒体报道，不具名消息人士表示，在浪潮集团表示无意整体收购后，内存芯片厂商奇梦达宣布破产。其律师迈克尔·杰斐(MichaelJaffe)对外表示奇梦达考虑出售公司部分资产。　　报道称，杰斐尚未收到其他公司收购奇梦达的方案，但有潜在买家表示有兴趣收购奇梦达的专利和生产业务。...[详细]

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