电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

FRAF806GR

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FRAF806GR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN

FRAF806GR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

FRAF806GR相似产品对比

FRAF806GR FRAF805GR FRAF803GR FRAF807GR
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 1.3 V 1.3 V
JEDEC-95代码 TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
湿度敏感等级 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 800 V 600 V 200 V 1000 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.5 µs 0.25 µs 0.15 µs 0.5 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 67  338  484  894  1701 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved