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SBT10100UYT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小195KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBT10100UYT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

SBT10100UYT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.71 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流80 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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PSBT10100UYT
ULTRA LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Voltage
Features
Ultra low forward voltage drop, low power loss
High efficiency operation
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
Green molding compound as per IEC61249 Std.. (Halogen Free)
100 V
Current
10 A
TO-220AB
Unit: inch(mm)
Mechanical Data
Case: Molded plastic, TO-220AB
Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Approx. Weight: 0.067 ounces, 1.89 grams
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load
Typical junction capacitance (V
R
=4V,f=1MHz)
Typical thermal resistance (Note 1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
LIMIT
100
70
100
10
150
620
3
-55 to +150
-55 to +150
o
o
UNIT
V
V
V
A
A
pF
C/W
o
o
C
C
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