Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SE2G-S

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SE2G-S: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小631KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 标准; 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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SE2G-S概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

SE2G-S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	EFFICIENCY
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流	60 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压	400 V
最大反向电流	10 µA
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	YES
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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SE2A-S thru SE2M-S

2.0 Amps. High Efficient Surface Mount Rectifiers

Voltage Range 50 to 1000 Volts Forward Current 2.0 Amperes

Features

For surface mounted application

Low forward voltage drop

Low profile package

Built-in stain relief, ideal for automatic placement

Fast switching for high efficiency

Easy pick and place

High temperature soldering:

260

C/10 seconds at terminals

Plastic material used carries Underwriters Laboratory

Classification 94V-O

Mechanical Data

Cases: New SMA molded plastic

Terminals: Solder plated solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: Indicated by cathode band

Weight: 0.004 ounce, 0.11 gram

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Parameter

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

See Fig.2

Peak forward surge current, 8.3ms single

half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage @ 2.0A

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

@ T

=25

@ T

=100

Symbols

RRM

RMS

(AV)

FSM

STG

-55 to +125

-55 to +150

1.00

SE2A-S

SE2B-S

100

SE2D-S

200

140

200

SE2F-S

300

210

300

2.0

SE2G-S

400

280

400

SE2J-S

600

420

600

SE2K-S

800

560

800

SE2M-S

1000

700

1000

Units

Volts

Amps

60.0

1.30

10.0

500

100

1.50

1.70

Amps

Volts

Maximum reverse recovery time (Note 1)

Typical junction capacitance (Note 2)

Operating temperature range

Storage temperature range

Notes:

1. Reverse Recovery Test Conditions: I

=0.5A, I

=1.0A, I

=0.25A

2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.

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